HAT2165N-EL-E Renesas Electronics America Inc

HAT2165N-EL-E Renesas Electronics America Inc

📅 2025-12-04

HAT2165N-EL-E by Renesas Electronics America Inc — Reliable, High-Performance Semiconductors for Advanced Electronic Systems

주요 특징
HAT2165N-EL-E는 Renesas Electronics America Inc.의 신뢰성과 성능을 한데 모은 Transistors – FETs, MOSFETs 단일 솔루션입니다. 임베디드 시스템, 산업 자동화, 자동차 애플리케이션 등 까다로운 환경에서 안정적인 작동을 보장하도록 설계되었으며, Renesas의 첨단 반도체 기술이 적용되어 우수한 전기적 특성과 긴 수명 주기를 제공합니다. 이 소자는 고효율과 저손실 운전을 위한 최적화된 전기적 성능, 험한 환경에서도 견디는 안정성, 소형 패키지와 구성 가능한 파라미터를 통한 유연한 통합, 에너지 절약형 설계로의 기여 등을 특징으로 합니다. 또한 RoHS 준수는 물론 JEDEC 표준과 자동차 등급 옵션(AEC-Q100 적용 가능 여부에 따라)도 지원하여 다양한 산업 표준을 한꺼번에 충족합니다.

전형적 응용 분야
Renesas HAT2165N-EL-E는 폭넓은 산업 도메인에서 활용됩니다. 자동차용 전장 전자 제어 모듈, ADAS, 파워트레인, 인포테인먼트 시스템과 같은 핵심 모듈에 적합하고, 산업 현장의 모터 구동기, 제어기, 센서, 로봇 등에 필수적인 구동 소자 역할을 합니다. 소비자 전자제품에서는 고성능 컴퓨팅 장치, 스마트 가전, 휴대형 시스템에 적용되며, IoT 및 엣지 디바이스 분야의 저전력 노드, 게이트웨이, 센서 플랫폼에서도 안정적인 전력 관리와 제어를 제공합니다. 또한 전력과 에너지 시스템에서의 regulation, 변환, 관리 회로 구성에 이상적이며, 신뢰성 있는 모듈링과 함께 시스템의 전반적 효율을 높여 줍니다.

설계 및 성능 이점
HAT2165N-EL-E는 대체 Transistors – FETs, MOSFETs 단일 솔루션 대비 강력한 설계 이점을 제공합니다. 먼저 견고한 신뢰성으로 엄격한 검증 및 자격 부여를 거쳤으며, 고성능 대비 소비 전력 측면에서도 탁월한 비율을 제공합니다. 넓은 작동 온도, 전압, 주파수 범위를 커버하여 다양한 환경과 시스템 요구에 대응합니다. 또한 평가 도구와 소프트웨어 자원을 포함한 성숙한 개발 생태계가 뒷받침되어 설계 초기 단계부터 프로파일링, 시뮬레이션, 검증까지 원활한 개발이 가능합니다.

왜 엔지니어는 Renesas를 선택하는가
Renesas는 고신뢰성 반도체의 장기 공급망과 안정적인 품질 관리로 잘 알려져 있습니다. 전 세계에 걸친 제조 인프라와 견고한 로드맵은 OEM 및 EMS 파트너에게 지속적인 공급 확보와 리스크 완화를 제공합니다. 이와 같은 요소들은 복잡한 시스템 아키텍처에서의 설계 결정 시, 장기적인 파트너십과 신뢰를 우선시하는 엔지니어들의 선택지로 자리 잡습니다.

ICHOME과의 협력
ICHOME은 Renesas HAT2165N-EL-E의 정품 공급을 보장하며 경쟁력 있는 가격, 공급망 투명성, 빠른 배송을 제공합니다. 개발용 샘플링은 물론 양산 시점까지 원활한 공급 체인을 지원하여 엔지니어링 개발과 대량 생산 모두에서 실무적인 이점을 제공합니다.

결론
Renesas Electronics America Inc.의 HAT2165N-EL-E는 고신뢰성, 효율적인 전력 특성, 설계의 유연성을 갖춘 단일 MOSFET 솔루션으로, 현대의 임베디드, 자동차, 산업 및 연결된 시스템에 이상적입니다. 강력한 전기적 성능과 넓은 작동 범위, 그리고 확장 가능한 개발 생태계 덕분에 다수의 응용 분야에서 안정적인 성능을 기대할 수 있습니다. ICHOME은 이 제품의 진정한 가치를 제공하는 파트너로서, 개발과 생산의 여정을 함께합니다.

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